Diodo Schottky 1N5819

Descripción

Diodo Schottky de barrera de potencia en encapsulado axial DO-41 (DO-204AL), fabricado bajo especificación de STMicroelectronics y otros fabricantes de la industria. Tensión inversa repetitiva máxima VRRM = 40V, corriente directa media rectificada IF(AV) = 1A (a TA=90°C), corriente de pico de sobrecarga IFSM = 25A (pulso sinusoidal 8.3ms). Caída de tensión directa VF = 550mV máx. a IF=1A y 25°C; a IF=1A y 125°C reduce a 420mV. Corriente inversa de fuga IR = 500µA máx. a VR=40V y 25°C; hasta 10mA a 100°C. Temperatura de juntura máxima TJ = 150°C. Resistencia térmica unión-ambiente RthJA = 50°C/W. Capacitancia de unión CJ típica = 110pF a 1MHz, VR=0V. Tiempo de recuperación inversa tr ≈ 0ns (prácticamente nulo por su estructura metal-semiconductor). El 1N5819 es ampliamente utilizado en fuentes conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC de alta frecuencia, circuitos de protección de polaridad inversa, rectificadores de bajo voltaje y etapas de rueda libre (freewheeling) en cargas inductivas. Su bajisima caída directa y velocidad de conmutación extremadamente rápida lo hacen superior a los diodos rectificadores convencionales en aplicaciones donde la eficiencia energética y la disipación de calor mínima son críticas.

Especificaciones técnicas