Diodo Schottky 1N5822

Descripción

Diodo rectificador Schottky de barrera de potencia en encapsulado axial DO-201AD (DO-27), fabricado por STMicroelectronics y otros fabricantes según estándar de industria. Tensión inversa repetitiva máxima VRRM = 40V, corriente directa media IF(AV) = 3A (a TC=75°C). Tensión directa VF = 525mV típico a IF=3A y 25°C; VF máx. = 600mV a IF=3A. Corriente inversa de fuga IR = 2mA máx. a VR=40V y 25°C; hasta 50mA a TJ=150°C. Corriente de sobrecarga no repetitiva de pico IFSM = 80A (pulso de 8.3ms). Capacitancia de unión CJ típica = 250pF a VR=4V y f=1MHz. Temperatura máxima de juntura TJ = 150°C. Resistencia térmica unión-ambiente RthJA = 50°C/W. Disipación de potencia Ptot = 2.5W en montaje horizontal sobre PCB. La construcción metal-semiconductor garantiza conmutación prácticamente instantánea (trr ≈ 0). Cumple RoHS; soldable según JESD 22-B106. El 1N5822 está diseñado para rectificación de salida en fuentes conmutadas (SMPS) de media y alta potencia, convertidores DC-DC de alta frecuencia (buck, boost, flyback), etapas de rueda libre (freewheeling) en reguladores de corriente para motores DC, cargadores de batería de baja tensión y protección de polaridad en sistemas de 12V-24V. Su triple ventaja de alta corriente (3A), bajo VF y encapsulado robusto DO-27 lo posiciona como alternativa de mayor capacidad al 1N5819 en aplicaciones donde la disipación de calor y la corriente son críticas.

Especificaciones técnicas