IGBT SKP15N60

Descripción

IGBT Canal N de tecnología NPT (Non-Punch-Through) fabricado por Infineon Technologies, en encapsulado PG-TO-220-3-1 (TO-220AB). Tensión colector-emisor máxima VCE = 600V, corriente de colector continua IC = 15A (a TC=100°C) y hasta 31A a 25°C, corriente de colector pulsada ICpuls = 62A. Tensión de saturación típica VCE(sat) = 2.3V a IC=15A y VGE=15V. Temperatura de juntura máxima Tj = 150°C. Incluye diodo antiparalelo EmCon de recuperación suave y rápida (Trr típico). Tiempo de retardo de encendido td(on) = 32ns típico; tiempo de apagado td(off) = 234ns típico; energías de conmutación Eon y Eoff reducidas en un 75% respecto a generación anterior. Tiempo de cortocircuito soportado: 10µs (VCC=600V, Tj=150°C, <1000 ciclos). Resistencia térmica unión-carcasa RthJC = 0.83°C/W. El SKP15N60 es ideal para etapas de potencia en inversores de frecuencia variable, controles de motor AC/DC, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y balastos electrónicos. Su tecnología NPT garantiza distribución de parámetros estrecha y comportamiento estable con la temperatura, facilitando la operación en paralelo. Es la elección preferida en aplicaciones industriales de 600V donde se requiere alta eficiencia de conmutación combinada con baja caída de conducción.

Especificaciones técnicas