JFET N-Ch 2N5457

Descripción

Transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N tipo depletion 2N5457 en encapsulado TO-92, diseñado para amplificación de audio de bajo nivel y aplicaciones de conmutación analógica. Tensiones máximas absolutas: VDS = 25V, VDG = 25V, VGSR = -25V. Corriente de puerta máxima IG = 10mA. Potencia disipada máxima PD = 310mW a TA=25°C. Temperatura de operación TJ: -65°C a +150°C. Corriente de saturación IDSS (a VGS=0, VDS=15V): 1.0mA mín. / 5.0mA máx. Tensión de corte gate-source VGS(off): -0.5V mín. / -6.0V máx. (modo depletion; el canal conduce a VGS=0 y se corta con VGS negativa). Admitancia de transferencia directa |Yfs| (transconductancia gm): 1000µS mín. / 5000µS máx. a VDS=15V, VGS=0, f=1kHz. Admitancia de salida |Yos|: 10µS máx. a VDS=15V, f=1kHz. Capacitancia de entrada Ciss = 4.5pF máx. a VDS=15V, f=1MHz. Capacitancia de transferencia inversa Crss = 1.5pF máx. Corriente de fuga gate-source IGSS = 1.0nA máx. a VGS=15V (impedancia de entrada extremadamente alta). Drain y Source intercambiables. Cumple RoHS. Diseñado como amplificador de audio de bajo ruido en preamplificadores de micrófono y captaciones de guitarra eléctrica (alta impedancia de entrada), como buffer de impedancia en sondas de osciloscopio y analizadores, como interruptor analógico de baja corriente, en osciladores de cristal de bajo consumo, y en etapas de entrada de instrumentos de medición de alta impedancia (pH-metros, sensores de carga).

Especificaciones técnicas