MOSFET N-Ch IRF540N

Descripción

El IRF540N es un MOSFET de canal N de la familia HEXFET fabricado por International Rectifier (ahora Infineon Technologies), encapsulado en TO-220AB (3 pines). Según el datasheet oficial (Infineon, PD-94812), sus parámetros eléctricos clave son: tensión drén-surtidor máxima VDSS = 100 V, corriente de drén continua ID = 33 A a TC = 25 °C, resistencia drén-surtidor en conducción RDS(on) máx = 44 mΩ a VGS = 10 V, tensión umbral de compuerta VGS(th) = 3 V (típico), tensión máxima compuerta-surtidor VGS = ±20 V, y potencia máxima PTOT = 140 W. Temperatura máxima de unión Tj = 175 °C. La resistencia térmica unión-encapsulado θJC máx = 1.1 °C/W y unión-ambiente θJA = 62 °C/W. La carga de compuerta total Qg (típ. a 10 V) = 47.3 nC y Qgd = 14 nC. El proceso HEXFET avanzado proporciona ultraba ja resistencia RDS(on) por área de silicio y clasificación de avalancha dinámica dv/dt totalmente calificada. El IRF540N es un MOSFET de potencia verstil con VDSS de 100 V y corriente de 33 A, utilizado en fuentes conmutadas (SMPS), inversores DC-AC, convertidores Buck y Boost, control de motores DC de hasta 1 kW, carga de baterías, UPS, y conmutación de cargas industriales de alta potencia. A diferencia del IRFZ44N (55 V), su VDSS de 100 V lo hace apto para buses de 48 V y aplicaciones automotrices y semi-industriales. La compuerta estándar de 10 V permite activación directa con drivers de compuerta convencionales (IR2101, IR2110, TC4420).

Especificaciones técnicas