MOSFET N-Ch IRFZ44N

Descripción

El IRFZ44N es un MOSFET de canal N de la familia HEXFET fabricado por International Rectifier (ahora Infineon), encapsulado en TO-220AB. Sus parámetros eléctricos clave son: tensión drén-surtidor máxima VDS = 55 V, corriente de drén continua ID = 49 A a TC = 25 °C, resistencia drén-surtidor en conducción RDS(on) máx = 17.5 mΩ a VGS = 10 V, tensión umbral de puerta VGS(th) = 2 a 4 V, y temperatura máxima de unión Tj = 175 °C. La carga total de compuerta Qg es 48 nC, y la capacitancia de entrada Ciss típica es 1430 pF. Tiempos de conmutación: tiempo de subida tr ≈ 60 ns, tiempo de bajada tf ≈ 45 ns. La estructura HEXFET de proceso avanzado garantiza avalancha repetitiva totalmente calificada y clasificación dinámica dv/dt. Este MOSFET es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC, variadores de velocidad para motores DC, control de carga por PWM, inversores y sistemas de iluminación LED de potencia. Su bajo RDS(on) minimiza la disipación de calor en conducción, y su bajo umbral de puerta permite la activación directa desde lógica de 5 V con circuito driver o desde drivers de compuerta estándar. Ideal en sistemas embebidos donde se requiere conmutar cargas inductivas o resistivas de hasta 50 W en el encapsulado TO-220 sin disipador adicional.

Especificaciones técnicas