Optoacoplador 4N25
Optoac. fototransistor NPN 4N25 VCEO 30V CTR≥20% VISO 4170Vrms IF max 60mA DIP-6
S/ 1.20
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Descripción
El 4N25 es un optoacoplador de fototransistor NPN de propósito general en encapsulado DIP-6, que contiene un diodo LED GaAlAs de entrada y un fototransistor NPN con base accesible (pin 6) en el lado de salida. La corriente de activación del LED (IF) es de 10 mA típico para operación, con CTR (relación de transferencia de corriente, IC/IF) de 20% mínimo a IF = 10 mA, VCE = 10 V. El voltaje de colektor-emisor máximo (VCEO) es de 70 V. La corriente máxima de colector (IC) es de 50 mA y la corriente de pico (ICM) de 100 mA. El aislamiento galvánico (VISO, voltaje de prueba) es de 5000 Vrms. La corriente máxima del LED (IF) es de 60 mA. Opera de −55 °C a +100 °C. La base accesible del fototransistor (pin 6) permite agregar una resistencia de base externa para ajustar la velocidad de respuesta y la sensibilidad: sin resistencia la sensibilidad (CTR) es máxima; con resistencia la velocidad de conmutación mejora a costa de menor CTR efectivo. Aplicaciones: aislamiento galvánico de señales digitales entre sistemas de diferente potencial de tierra, interfaces entre microcontroladores y cargas de alta tensión, aislamiento en fuentes de alimentación conmutadas (optoacoplador de realimentación), comunicaciones UART aisladas, detección de línea CA y protección de equipos de medición.
Especificaciones técnicas
| Encapsulado | DIP-6 |
|---|---|
| Código VolAmper | IC-OPTO-4N25-DIP6 |
| Hoja de datos | Ver datasheet(se abre en una pestaña nueva) |
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