Optoacoplador 4N35

Descripción

El 4N35 es un optoacoplador de fototransistor NPN de alta sensibilidad en encapsulado DIP-6, con LED GaAs de entrada y fototransistor NPN con base accesible (pin 6) en la salida. El CTR (relación de transferencia de corriente) es de 100% mínimo a IF = 10 mA, VCE = 10 V. El voltaje de colektor-emisor máximo (VCEO) es de 80 V. La corriente de entrada del LED (IF) es de 50 mA máximo. La tensión de saturación VCE(SAT) es de 0.3 V máximo a IC = 0.5 mA, IF = 10 mA. El aislamiento galvánico (VISO) es de 5000 Vrms (1 minuto). La temperatura de operación es de −55 °C a +110 °C en encapsulado DIP-6. El CTR mínimo de 100% del 4N35 significa que para IF = 10 mA se garantiza IC ≥ 10 mA, lo que permite activar cargas más exigentes o usar corrientes de LED menores para el mismo resultado que el 4N25 (CTR mínimo 20%). La base accesible permite ajuste de velocidad/sensibilidad con resistencia externa RBE. Aplicaciones: aislamiento galvánico con mayor margen de CTR, realimentación en fuentes conmutadas (control de ciclo de trabajo), aislamiento de señales PWM entre sistemas de diferente tensión, interfaces de señales industriales con microcontroladores, control de relés a través de fronteras de tensión y protección de sistemas digitales de alta sensibilidad.

Especificaciones técnicas