Transistor NPN BD139

Descripción

El BD139 es un transistor bipolar de unión NPN de silicio epitaxial planar de media potencia en encapsulado TO-126 (SOT-32), diseñado para aplicaciones de amplificación de audio de media potencia y conmutación. Registrado JEDEC; fabricado por onsemi, STMicroelectronics, Fairchild, NXP/Philips, Unisonic y otros. Tensiones máximas absolutas: VCBO = 80V (100V según Philips/NXP), VCEO = 80V, VEBO = 5V. Corriente de colector continua IC(DC) = 1.5A; pico ICM = 2A; pico de base IBM = 1A. Potencia disipada máx. PD = 8W a Tmb≤70°C (Philips); PD = 1.25W a TA=25°C sin disipador; PD máx. con disipador según curva de derating. Temperatura de operación TJ: −65°C a +150°C. Temperatura almacenamiento: −65°C a +150°C. Ganancia de corriente DC hFE (grupos): BD139-10: 63–160; BD139-16: 100–250 (a IC=150mA, VCE=2V). hFE mín. = 40 a IC=0.5A, VCE=2V. Tensión de saturación VCE(sat) = 0.5V máx. a IC=0.5A, IB=0.05A. Tensión base-emisor VBE = 1V típ. a IC=0.5A, VCE=2V. Pinout TO-126: pin 1=Emisor, pin 2=Colector (tab), pin 3=Base. Complemento PNP: BD140. Cumple RoHS. Aplicaciones: etapas driver de potencia media en amplificadores de audio, etapas de salida complementarias (push-pull) clase B/AB emparejado con BD140, drivers de relés y solenoides de media potencia, reguladores lineales y fuentes de alimentación, control de motores DC de baja potencia.

Especificaciones técnicas