Transistor NPN 2SD880

Descripción

El 2SD880 es un transistor de potencia bipolar NPN de silicio epixital planar fabricado originalmente por Toshiba, disponible en encapsulado TO-220AB (3 pines). Sus parámetros eléctricos máximos absolutos son: tensión colector-emisor VCEO = 60 V, tensión colector-base VCBO = 60 V, tensión emisor-base VEBO = 5 V, corriente de colector IC = 3 A DC, y potencia de disipación PC = 30 W a TC = 25 °C. La ganancia de corriente DC (hFE) varía de 60 a 300, agrupada en clases R/O/Y/GR según el valor, y la tensión de saturación VCE(sat) máx es de 1.0 V a IC = 3 A. La frecuencia de transición fT = 3 MHz y la resistencia térmica unión-encapsulado θJC = 4.17 °C/W. Es un transistor de propósito general orientado a amplificación de audio de potencia media, reguladores de tensión lineales, convertidores DC-DC de baja frecuencia y etapas de conmutación de cargas inductivas o resistivas hasta 30 W. Complementario al tipo PNP 2SB834. Su alta ganancia hFE lo hace adecuado en amplificadores de clase AB para altavoces de pequeña y mediana potencia, y en etapas driver de potencia en equipos de audio y televisión vintage.

Especificaciones técnicas