Transistor NPN 2N2222

Descripción

Transistor bipolar de unión NPN de silicio epítaxial planar de propósito general, en encapsulado TO-92 (TO-226AA), registrado JEDEC y fabricado por ON Semiconductor, Fairchild/onsemi, NXP y otros. Tensión colector-emisor máx. VCEO = 40V, tensión colector-base VCBO = 75V, tensión emisor-base VEBO = 6.0V. Corriente de colector continua IC(max) = 600mA (TO-92); corriente de pico ICpulse = 600mA. Disipación de potencia máx. PD = 625mW a TA=25°C en TO-92. Ganancia de corriente DC hFE = 100-300 (típico 200) a IC=10mA y VCE=10V; se mantiene >35 a IC=500mA. Tensión de saturación VCE(sat) = 0.3V típ. a IC=150mA, IB=15mA. Frecuencia de transición fT = 250-300MHz típ. a IC=20mA, VCE=20V. Tiempo de encendido ton = 35ns típ.; tiempo de apagado toff = 60ns típ. a IC=150mA. Temperatura de operación TJ: -55°C a +150°C. Pinout TO-92: Emisor-Base-Colector (EBC) desde izquierda con el plano frontal. Cumple RoHS. El 2N2222 es el transistor NPN de referencia más usado en el mundo para commutación digital de cargas hasta 600mA (relés, LEDs, solenoides), etapas de amplificación de señal de audio y RF de baja potencia, interfaces entre microcontroladores y cargas externas, osciladores Colpitts/Hartley, y circuitos de control en diseños Arduino/embebidos.

Especificaciones técnicas