Transistor NPN 2N3904

Descripción

El 2N3904 es un transistor bipolar de unión NPN de silicio epitaxial planar de propósito general en encapsulado TO-92, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación. Registrado JEDEC, fabricado por onsemi/ON Semiconductor, Fairchild, NXP y otros. Tensiones máximas absolutas: VCEO = 40V, VCBO = 60V, VEBO = 6.0V. Corriente de colector continua IC(max) = 200 mA. Disipación de potencia máx. PD = 625 mW a TA=25°C (derating 5 mW/°C); PD = 1.5W a TC=25°C. Resistencia térmica junción-ambiente RJA = 200 °C/W. Ganancia de corriente DC hFE: mín. 30 a IC=100mA; 100-300 a IC=10mA. Tensión de saturación VCE(sat) = 0.3V máx. a IC=50mA, IB=5mA. Tensión base-emisor VBE(on) = 0.65V típ. Frecuencia de transición fT = 300MHz típ. (última revisión onsemi, Oct. 2024) a IC=10mA, VCE=20V. Capacitancia de salida Cob = 4pF máx. a VCB=5V. Corriente de fuga ICEX = 50nA máx. Temperatura de operación TJ: −55°C a +150°C. Temperatura almacenamiento: −55°C a +150°C. Pinout TO-92: Emisor-Base-Colector (EBC) de izquierda a derecha con plano frontal hacia el usuario. Complemento PNP: 2N3906. SMD equivalente: MMBT3904 (SOT-23). Cumple RoHS. Aplicaciones: conmutación digital de cargas hasta 200mA (relés, LEDs, solenoides), amplificación de pequeña señal de audio y RF de baja potencia, interfaces entre microcontroladores y cargas externas, osciladores, generadores de señal y circuitos de control embebidos.

Especificaciones técnicas