Transistor PNP 2N3906

Descripción

Transistor bipolar de unión PNP de silicio epitaxial planar 2N3906 en encapsulado TO-92, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación de propósito general. Tensiones máximas absolutas: VCEO = 40V, VCBO = 40V, VEBO = 5.0V. Corriente de colector continua IC = 200mA. Potencia disipada máxima PD = 625mW a TA=25°C (derating 5.0mW/°C); PD = 1.5W a TC=25°C (derating 12mW/°C). Resistencia térmica junción-ambiente RJA = 200°C/W máx. Ganancia de corriente DC hFE: mín. 100 a IC=0.1mA; 100-300 a IC=10mA; 60 mín. a IC=50mA; 30 mín. a IC=100mA (tipica 150-300). Tensión de saturación VCE(sat) = -0.25V máx. a IC=-10mA / IB=-1mA; VBE(sat) = -0.95V máx. Tensión base-emisor VBE(on) = -0.65V típ. a IC=-10mA. Frecuencia de transición fT = 250MHz típ. a VCE=-20V, IC=-10mA. Capacitancia de salida Cobo = 4.5pF máx. a VCB=-5V, f=1MHz. Temperatura de operación TJ: -55°C a +150°C. Complemento PNP del 2N3904. Cumple RoHS. Empleado en etapas de amplificación de pequeña señal PNP en estádios preamplificadores de audio, como transistor de conmutación para cargas de baja potencia (relés, LEDs, optoacopladores), en pares complementarios con 2N3904 para amplificadores push-pull clase AB, driver de base en circuitos de control de corriente y en etapas de salida de generadores de señal de baja frecuencia.

Especificaciones técnicas