Transistor PNP BD140

Descripción

El BD140 es un transistor bipolar de unión PNP de silicio epitaxial planar de media potencia en encapsulado TO-126 (SOT-32), diseñado para aplicaciones de amplificación de audio y conmutación de media potencia. Fabricado por onsemi/Fairchild, STMicroelectronics, NXP/Philips, Toshiba y otros. Tensiones máximas absolutas: VCBO = −80V, VCEO = −80V, VEBO = −5V. Corriente de colector continua IC(DC) = −1.5A; pico ICM = −2A. Potencia disipada máx. PD ≈ 12.5W a TC=25°C (con disipador sobre tab metálico); PD = 1.25W a TA=25°C en TO-126. Temperatura de operación TJ: −55°C a +150°C. Temperatura almacenamiento: −65°C a +150°C. Ganancia de corriente DC hFE: mín. 40, típ. 100–160 (a IC=150mA, VCE=−2V); grupos BD140-10: 63–160, BD140-16: 100–250. Tensión de saturación VCE(sat) = −0.5V máx. a IC=−0.5A, IB=−0.05A. Tensión base-emisor VBE = −1V típ. a IC=−0.5A, VCE=−2V. Frecuencia de transición fT = 190 MHz típ. Pinout TO-126: pin 1=Emisor, pin 2=Colector (tab), pin 3=Base. Complemento NPN: BD139. Cumple RoHS. Aplicaciones: etapas de salida push-pull clase AB emparejadas con BD139 en amplificadores de audio de media potencia (1–10W), driver PNP de relés y cargas inductivas de 12–24V, reguladores lineales negativos de media potencia, etapas de control de motores DC en polaridad negativa.

Especificaciones técnicas