Transistor NPN TIP31C

Descripción

El TIP31C es un transistor bipolar de unión NPN de silicio epitaxial planar de potencia media en encapsulado TO-220 (AB), diseñado para amplificación de propósito general y conmutación de potencia media. Fabricado por onsemi, STMicroelectronics, Fairchild y otros. Es la versión de mayor tensión de la serie TIP31 (A=60V, B=80V, C=100V). Tensiones máximas absolutas: VCBO = 100V, VCEO = 100V (sustaining VCEO(sus) ≥100V mín.), VEBO = 5V. Corriente de colector continua IC(max) = 3A; pico = 5A. Corriente de base máxima IB(max) = 1A. Potencia disipada máx. PD = 40W a TC=25°C (con disipador); PD = 2W a TA=25°C sin disipador. Temperatura de operación TJ: −55°C a +150°C. Temperatura almacenamiento: −55°C a +150°C. Ganancia de corriente DC hFE: mín. 10 a IC=3A, VCE=4V; típicamente 10–50 en toda la gama de corriente. Tensión de saturación VCE(sat) = 1.2V máx. a IC=3A, IB=0.3A. Producto ganancia-ancho de banda fT = 3 MHz mín. a IC=500mA, VCE=10V. Pinout TO-220: pin 1=Base, pin 2=Colector (tab metálico), pin 3=Emisor. Complemento PNP: TIP32C. Cumple RoHS. Requiere disipador de calor para operación a IC > 1A. Aplicaciones: drivers de motores DC de baja-media potencia (hasta 3A), etapas de salida de amplificadores de audio de media potencia, fuentes de alimentación lineal y conmutada, control PWM de cargas resistivas e inductivas, reguladores de corriente, drivers de relés industriales y solenoides de 12–48V.

Especificaciones técnicas