Transistor PNP A1015

Descripción

El A1015 (2SA1015) es un transistor bipolar de unión PNP de silicio epitaxial planar tipo PCT en encapsulado TO-92, diseñado por Toshiba para amplificación de audio de propósito general y preamplificación de bajo ruido. Extremadamente popular en Asia oriental para aplicaciones de audio. Complemento NPN: 2SC1815 (C1815). Tensiones máximas absolutas: VCBO = −50V, VCEO = −50V, VEBO = −5V. Corriente de colector continua IC(max) = −150mA. Potencia disipada máx. PC = 400mW a TA=25°C. Temperatura de junción máxima TJ(max) = 125°C. Temperatura almacenamiento: −55°C a +125°C. Ganancia de corriente DC hFE: excelente linealidad; hFE(2) = 80 típ. a VCE=−6V, IC=−150mA; linealidad hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA) = 0.95 típ. Rangos por rank: A1015-O: 70–140, A1015-Y: 120–240, A1015-GR: 200–400. Figura de ruido NF = 1dB típ. a f=1kHz (muy bajo). Tensión base-emisor VBE(on) = 0.7V típ. Frecuencia de transición fT > 80 MHz a IC=−1mA. Corriente de fuga ICBO = 0.1µA máx. Pinout TO-92: Emisor-Colector-Base (ECB) — ¡difiere del orden EBC estándar! (E=pin1, C=pin2, B=pin3, vista plano frontal). Cumple RoHS. Aplicaciones: preamplificadores de audio de bajo ruido (micrófono, pick-up), etapas de amplificación driver en amplificadores de audio Clase AB emparejadas con C1815, etapas de entrada de alta impedancia en instrumentos musicales electrónicos, amplificadores de propósito general en consumer electronics japonés y coreano, conmutación de baja corriente en circuitos de bajo ruido.

Especificaciones técnicas