Transistor PNP 2N5401

Descripción

El 2N5401 es un transistor bipolar de unión PNP de silicio epitaxial planar de alta tensión y baja corriente en encapsulado TO-92, diseñado para amplificación y conmutación en aplicaciones de alta tensión como telefonía y comunicaciones. Fabricado por onsemi/Fairchild, NXP/Philips, y otros. Par complementario NPN: 2N5551. Tensiones máximas absolutas: VCBO = −160V, VCEO = −150V, VEBO = −5V. Corriente de colector continua IC(max) = −600mA. Potencia disipada máx. PD = 625mW a TA=25°C (derating 5mW/°C). Resistencia térmica junción-ambiente RJA = 200°C/W. Temperatura de operación TJ: −55°C a +150°C. Temperatura almacenamiento: −55°C a +150°C. Ganancia de corriente DC hFE: mín. 30 a IC=−1mA; mín. 60 a IC=−10mA; 40–200 a IC=−10mA. Tensión de saturación VCE(sat) = −0.2V máx. a IC=−10mA, IB=−1mA; −0.5V máx. a IC=−50mA. Tensión base-emisor VBE(sat) = −1V máx. Producto ganancia-ancho de banda fT = 100–400 MHz a IC=−10mA, VCE=−10V. Capacitancia de salida Cob = 6pF máx. a VCB=−10V. Figura de ruido NF = 8dB máx. (IC=−250µA, RS=1kΩ, f=10Hz–15.7kHz). Pinout TO-92: Emisor-Base-Colector (EBC). Cumple RoHS. Aplicaciones: amplificadores de señal de alta tensión en equipos de telecomunicaciones y líneas telefónicas, conmutación de cargas a 48–150V de baja corriente, etapas driver de alta tensión en CRT y displays, preamplificadores de baja señal de alta impedancia, reguladores lineales de alta tensión.

Especificaciones técnicas