Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4741A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 11V (±5%) a corriente de prueba IZT = 23mA. Impedancia dinámica ZZT = 8Ω máx. a IZT; ZZK = 700Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 414mA a TA=25°C. Corriente inversa IR = 10µA máx. a VR=8.4V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.05 a +0.085 %/°C (avalancha; variación estimada de ~+6.5mV/°C en condiciones nominales; incremento lineal de ZZT respecto de 10V indica reducción de corriente de prueba con aumento de impedancia dinámica). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite a 25°C: VZmin=10.45V / VZmax=11.55V. Corriente de sobrecarga IZS = 414mA (8.3ms). Encapsulado DO-41 hermético de vidrio; terminales soldables con acabado estáñado; banda de cátodo. Cumple RoHS. Componente de referencia para regulación de 11V en sistemas de alternadores automotrices de 12V (umbral de carga baja), clamp de protección en entradas de controladores de carga solar de 12V con picos de 11V, polarización de etapas de amplificación de señal en equipos de radio con fuente de 11V, y fijación de tensión de prueba en circuitos de calibración de módulos de medida industriales.

Especificaciones técnicas