Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4751A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 30V (±5%) a corriente de prueba IZT = 8.5mA. Impedancia dinámica ZZT = 40Ω máx. a IZT; ZZK = 1000Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 150mA a TA=25°C; IZM = 30mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=22.8V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.06 a +0.095 %/°C (positivo, comportamiento típico avalancha >10V; para un sistema que opere de 25°C a 75°C, VZ varía aproximadamente ±15mV). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite a 25°C: VZmin=28.5V / VZmax=31.5V. Corriente de sobrecarga transitoria IZS = 150mA (8.3ms). Cuerpo vidrio estándar DO-41; terminales soldables MIL-SPEC. Cumple RoHS. Se usa en clamp de transitorios y regulación de líneas de 30V-35V en fuentes de laboratorio y alimentadores de instrumentación, protección de MOSFET de alta tensión en circuitos de gate-source, supresión de picos inductivos en cargas de 24VDC y limitación de tensión de salida en reguladores lineales ajustables.

Especificaciones técnicas