Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4754A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 39V (±5%) a corriente de prueba IZT = 6.5mA. Impedancia dinámica ZZT = 60Ω máx. a IZT; ZZK = 1000Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 115mA a TA=25°C; IZM = 23mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=29.7V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.06 a +0.095 %/°C (avalancha positivo; variación máx. aprox. 19mV por cada 50°C). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite a 25°C: VZmin=37.05V / VZmax=40.95V. Corriente de sobrecarga IZS = 115mA (8.3ms). Cuerpo vidrio DO-41; terminales soldables MIL-SPEC; banda identifica cátodo. Cumple RoHS. Se aplica en protección de circuitos de disparo de tiristores (SCR) y TRIACs cuya tensión de gate no debe superar 40V, regulación de tensiones de 40V en fuentes ajustables de laboratorio, clamp de salida en amplificadores de audio de alta tensión y protección de entradas de medidores industriales conectados a buses de 36V-48V.

Especificaciones técnicas