Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4731A en encapsulado axial DO-41, con potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 4.3V (±5%) a corriente de prueba IZT = 58mA. Impedancia dinámica ZZT = 9Ω máx. a IZT; ZZK = 400Ω máx. a IZK=1mA. Corriente máxima de regulación IZM = 1070mA a TA=25°C; IZM = 217mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 10µA máx. a VR=1V. Coeficiente de temperatura VZ: -0.07 a -0.01 %/°C (zona de transición, coeficiente casi nulo hacia el límite superior). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite: VZmin=4.085V / VZmax=4.515V a 25°C. Cuerpo vidrio DO-41, peso máx. 350mg, terminales soldables MIL-SPEC. Cumple RoHS. Se utiliza en regulación de tensión de referencia intermedia entre 4V y 5V, protección de entradas analógicas de microcontroladores de 5V con margen de seguridad, circuitos de bloqueo de señal en diseños de instrumentación y como referencia de tensión en fuentes de corriente constante.

Especificaciones técnicas