Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4743A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 13V (±5%) a corriente de prueba IZT = 19mA. Impedancia dinámica ZZT = 10Ω máx. a IZT; ZZK = 700Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 344mA a TA=25°C; IZM = 69mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=9.9V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.05 a +0.085 %/°C (positivo moderado, régimen avalancha; variación de ~6mV por cada 10°C de aumento). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite a 25°C: VZmin=12.35V / VZmax=13.65V. Corriente de sobrecarga IZS = 344mA (8.3ms). Tensión directa VF = 1.2V máx. a IF=200mA. Cuerpo vidrio DO-41; terminales soldables MIL-SPEC. Cumple RoHS. Es la referencia Zener de 13V de uso habitual en protección de gate de MOSFETs de 12V (VGS(max)=±20V), regulación de líneas de 12V en fuentes lineales con transformador, clamp de picos inductivos en relés y solenoides de 12V, y como referencia de umbral en comparadores y circuitos de detección de bajo voltaje en sistemas de batería automotriz.

Especificaciones técnicas