Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4748A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 22V (±5%) a corriente de prueba IZT = 11.5mA. Impedancia dinámica ZZT = 23Ω máx. a IZT; ZZK = 750Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 205mA a TA=25°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=16.8V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.06 a +0.095 %/°C (régimen de avalancha; incremento de VZ con temperatura de ~+12mV/°C en condiciones nominales). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite: VZmin=20.9V / VZmax=23.1V. Corriente de sobrecarga IZS = 205mA (8.3ms). Encapsulado DO-41 con masa de vidrio hermético y terminales soldables. Cumple RoHS. Utilizado como diodo de polarización fija en circuitos de protección de cargas de 24V DC (sistemas industriales y automóviles eléctricos de 24V), supresión de picos en líneas de salida de inversores de pequeña potencia, tensión de clamping en compuertas MOSFET de alta tensión, y referencia de regulación en fuentes de tensión continua de laboratorio ajustables.

Especificaciones técnicas