Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4752A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 33V (±5%) a corriente de prueba IZT = 7.5mA. Impedancia dinámica ZZT = 45Ω máx. a IZT; ZZK = 1000Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 135mA a TA=25°C; IZM = 27mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=25.1V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.06 a +0.095 %/°C (positivo, régimen avalancha; variación estimada de ±17mV por cada 50°C de cambio). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite a 25°C: VZmin=31.35V / VZmax=34.65V. Corriente de sobrecarga IZS = 135mA (8.3ms). Cuerpo vidrio DO-41, terminales soldables MIL-SPEC, banda indica cátodo. Cumple RoHS. Aplicado en circuitos de protección de inversores fotovoltaicos de 24V/48V (máximo de carga 33V), regulación y clamp de líneas de alimentación de 32V en impresoras industriales y controladores de motor paso a paso, supresión de sobretensiones en buses de 24V con picos inductivos de alta energía.

Especificaciones técnicas