Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4744A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 15V (±5%) a corriente de prueba IZT = 17mA. Impedancia dinámica ZZT = 14Ω máx. a IZT; ZZK = 700Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 304mA a TA=25°C; IZM = 61mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=11.4V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.055 a +0.09 %/°C (régimen avalancha; variación de aprox. ±7.5mV en rango de 25°C a 75°C). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite a 25°C: VZmin=14.25V / VZmax=15.75V. Corriente de sobrecarga IZS = 304mA (8.3ms). Cuerpo vidrio DO-41; terminales soldables MIL-SPEC; identificación de cátodo por banda. Cumple RoHS. Es el Zener de referencia para la tensión de 15V, ampliamente utilizado en protección de gate de IGBTs y MOSFETs de potencia (la tensión VGS de conducción óptima de muchos IGBT es exactamente 15V), regulación de fuentes de ±15V en amplificadores operacionales de precisión, supresión de sobretensiones en circuitos de 12V con transitorios automotrices (carga de alternador ~14.4V) y protección de transistores de salida en reguladores de conmutación.

Especificaciones técnicas