Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4736A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 6.8V (±5%) a corriente de prueba IZT = 37mA. Impedancia dinámica ZZT = 3.5Ω máx. a IZT; ZZK = 700Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 660mA a TA=25°C. Corriente inversa IR = 10µA máx. a VR=5.2V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.015 a +0.06 %/°C (zona post-cruce del punto TC≈0; régimen de avalancha ligero con estabilidad térmica aún muy buena: variación estimada de ~3mV/°C en condiciones nominales). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite: VZmin=6.5V / VZmax=7.2V. Corriente de sobrecarga IZS = 660mA (8.3ms). Encapsulado DO-41 hermético de vidrio; terminales soldables MIL-SPEC; banda de cátodo. Cumple RoHS. Empleado comúnmente como tensión de referencia de 6.8V en circuitos de protección de baterías de Li-Ion (4S), regulación de polarización de amplificadores de RF de baja potencia, clamp de transitorios en líneas 5V con picos de 6.8V en entornos industriales, y fijación del punto de operación de etapas de amplificación en clase A con fuente dividida.

Especificaciones técnicas