Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4739A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 9.1V (±5%) a corriente de prueba IZT = 28mA. Impedancia dinámica ZZT = 5Ω máx. a IZT; ZZK = 700Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 500mA a TA=25°C. Corriente inversa IR = 10µA máx. a VR=6.94V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.04 a +0.08 %/°C (avalancha bien consolidada; desplazamiento estimado de ~+5.5mV/°C a plena corriente; notable respecto de 8.2V, seguimiento lineal del TC positivo a mayor tensión). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite: VZmin=8.65V / VZmax=9.56V. Corriente de sobrecarga IZS = 500mA (8.3ms). Encapsulado DO-41 con cuerpo de vidrio hermético, terminales soldables MIL-SPEC, banda indicadora de cátodo. Cumple RoHS. Componente estándar para regulación de tensión de 9V en circuitos de alimentación de efectos de audio, clamp de protoción en salidas de 9V de fuentes de pared (wall adapters) con picos inductivos, regulación de polarización de transistores RF de la banda de 9V, fijación de umbral de comparadores de batería en sistemas de gestión de energía 2S Li-Ion (8.4V nominal, OVP a 9.1V), y supresión de transitorios en buses de datos industriales de 9V.

Especificaciones técnicas