Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4746A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 18V (±5%) a corriente de prueba IZT = 14mA. Impedancia dinámica ZZT = 20Ω máx. a IZT; ZZK = 750Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 250mA a TA=25°C; IZM = 50mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=13.7V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.06 a +0.09 %/°C (régimen avalancha positivo moderado; variación estimada de ~9mV por cada 10°C). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite a 25°C: VZmin=17.1V / VZmax=18.9V. Corriente de sobrecarga IZS = 250mA (8.3ms). Cuerpo vidrio DO-41; terminales soldables MIL-SPEC; banda de color indica cátodo. Cumple RoHS. Referencia típica para circuitos de alimentación de ±18V en amplificadores operacionales de alta tensión (LM741, TL072), protección de salida de reguladores LM317 ajustados a voltajes altos, supresión de transitorios en líneas de 12V con picos hasta 18V (alternadores automotrices en carga reject), y clamp en circuitos de alimentación de displays OLED/LCD de alta tensión.

Especificaciones técnicas