Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4745A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 16V (±5%) a corriente de prueba IZT = 15.5mA. Impedancia dinámica ZZT = 16Ω máx. a IZT; ZZK = 700Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 285mA a TA=25°C; IZM = 57mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=12.2V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.055 a +0.09 %/°C. Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite a 25°C: VZmin=15.2V / VZmax=16.8V. Corriente de sobrecarga IZS = 285mA (8.3ms). Tensión directa VF = 1.2V máx. a IF=200mA. Cuerpo vidrio DO-41; terminales soldables MIL-SPEC. Cumple RoHS. Muy próxima al umbral de 15V pero con 1V adicional de margen, esta referencia se aplica en protección de circuitos de control de gate en sistemas de 15V con tolerancia de ±1V, regulación de líneas de 16V en amplificadores de audio automotriz (estándar de bus de audio en automóviles), clamp de tensión en circuitos de carga de baterías de gel de 12V (carga de ecualización hasta 16.2V), y como referencia de umbral de sobretensión en protecciones de fuentes ATX/industriales.

Especificaciones técnicas