Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4732A en encapsulado axial DO-41, con potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 4.7V (±5%) a corriente de prueba IZT = 53mA. Impedancia dinámica ZZT = 8Ω máx. a IZT; ZZK = 500Ω máx. a IZK=1mA. Corriente máxima de regulación IZM = 970mA a TA=25°C; IZM = 193mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 10µA máx. a VR=1V. Coeficiente de temperatura VZ: -0.03 a +0.04 %/°C (zona crítica de transición: el coeficiente tiende a cero, haciendo este voltaje excelente para referencias temperatura-estable). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite: VZmin=4.465V / VZmax=4.935V a 25°C. Cuerpo vidrio DO-41, terminales MIL-SPEC, cumple RoHS. Ideal para regulación de líneas de 5V con ligera correción, referencia de tensión en amplificadores operacionales, protección de pines de GPIO en sistemas de 5V y estabilización de tensión de base en circuitos de polarización de transistores.

Especificaciones técnicas