Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4747A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 20V (±5%) a corriente de prueba IZT = 12.5mA. Impedancia dinámica ZZT = 22Ω máx. a IZT; ZZK = 750Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 225mA a TA=25°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=15.3V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.06 a +0.09 %/°C (avalancha; desplazamiento aproximado de +10mV/°C a plena corriente). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite: VZmin=19.0V / VZmax=21.0V. Corriente de sobrecarga IZS = 225mA (8.3ms). Encapsulado DO-41 con masa de vidrio y terminales estáñadas; banda de color en cátodo. Cumple RoHS. Componente ideal para fijación de referencias de 20V en fuentes de tensión conmutadas (topologías flyback y forward), protección de transistores de salida en etapas de potencia con VCC=20V, regulación de tensión de polarización en amplificadores de radiofrecuencia clase A, y como tensión de referencia en equipos de medición y calibración que operan con raíl doble ±20V.

Especificaciones técnicas