Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia (equivalente 1N4727A) en encapsulado axial DO-41, con potencia máxima de disipación PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 3.0V (±5% tolerancia sufijo A) a corriente de prueba IZT = 84mA. Impedancia Zener dinámica ZZT = 10Ω máx. a IZT; ZZK = 400Ω máx. a IZK=1mA. Corriente máxima de regulación IZM = 1380mA (a TA=25°C) ; a TA=50°C IZM = 276mA. Corriente inversa de fuga IR = 100µA máx. a VR=1V. Coeficiente de temperatura del voltaje Zener: negativo, aproximadamente -0.09 a -0.06 %/°C (zona avalancha/efecto Zener a voltajes <5V). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C. Derating de potencia por encima de 50°C: 6.67mW/°C. Cuerpo de vidrio estándar DO-41, peso aprox. 350mg. Cumple RoHS. Se usa para regulación y estabilización de referencias de 3V en circuitos de baja tensión, líneas de alimentación de 3.3V tolerantes a referencia cercana, protección de entradas de microcontroladores de 3.3V y clipping de señales en diseños de electrónica embebida.

Especificaciones técnicas