Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4729A en encapsulado axial DO-41, con potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 3.6V (±5%) a corriente de prueba IZT = 69mA. Impedancia dinámica ZZT = 10Ω máx. a IZT; ZZK = 400Ω máx. a IZK=1mA. Corriente máxima de regulación IZM = 1260mA a TA=25°C; IZM = 252mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 100µA máx. a VR=1V. Coeficiente de temperatura VZ: -0.08 a -0.05 %/°C, ligeramente negativo (zona de transición efecto Zener/avalancha). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones min/máx a TA=25°C: 3.42V / 3.78V. Cuerpo vidrio estándar DO-41, terminales soldables MIL-SPEC. Cumple RoHS. Se aplica en circuitos de protección de entradas lógicas de 3.3V-5V (voltaje Zener entre las dos lógicas), clipper de señal de audio de baja amplitud, estabilización de referencia en comparadores de bajo voltaje y protección ESD de líneas sensibles.

Especificaciones técnicas