Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4749A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 24V (±5%) a corriente de prueba IZT = 10.5mA. Impedancia dinámica ZZT = 25Ω máx. a IZT; ZZK = 750Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 190mA a TA=25°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=18.3V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.06 a +0.095 %/°C (avalancha pura; cambio aproximado de +13.5mV/°C). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite: VZmin=22.8V / VZmax=25.2V. Corriente de sobrecarga IZS = 190mA (8.3ms). Encapsulado DO-41; terminales MIL-SPEC soldables; polaridad indicada por banda de color. Cumple RoHS. Referencia estándar para sistemas a 24V DC industriales y automotrices: protección de tensiones de bus en PLCs, regulación pasiva en fuentes conmutadas de 24V, clamp de picos en solenoides y relés de 24VDC, y polarización de etapas de salida analógica en instrumentación industrial (4-20mA, 0-10V).

Especificaciones técnicas