Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4730A en encapsulado axial DO-41, con potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 3.9V (±5%) a corriente de prueba IZT = 64mA. Impedancia dinámica ZZT = 9Ω máx. a IZT; ZZK = 400Ω máx. a IZK=1mA. Corriente máxima de regulación IZM = 1190mA a TA=25°C; IZM = 234mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 50µA máx. a VR=1V. Coeficiente de temperatura VZ: -0.07 a -0.02 %/°C (zona mixta Zener-avalancha). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite: VZmin=3.705V / VZmax=4.095V a 25°C. Cuerpo vidrio DO-41, terminales soldables. Cumple RoHS. Es particularmente útil en circuitos de referencia de 4V para reguladores lineales, protección de líneas TTL de 5V con margen, estabilización de tensión de alimentación en sensores analógicos de bajo consumo y como elemento de clamp en circuitos de muestreo y ADC de baja escala.

Especificaciones técnicas