Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4750A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 27V (±5%) a corriente de prueba IZT = 9.5mA. Impedancia dinámica ZZT = 35Ω máx. a IZT; ZZK = 750Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 170mA a TA=25°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=20.6V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.06 a +0.095 %/°C (régimen avalancha pleno; desplazamiento estimado de +15mV/°C). Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite: VZmin=25.7V / VZmax=28.4V. Corriente de sobrecarga IZS = 170mA (8.3ms). Nota: ZZT = 35Ω supone un incremento respecto de valores más bajos de la serie, propio del escalamiento de la resistencia dinámica en tensión de avalancha a baja corriente de prueba. Encapsulado DO-41 con vidrio hermético, terminales soldables, banda de cátodo. Cumple RoHS. Aplicado comúnmente como tensión de referencia en fuentes de alimentación de 27V para radio AM/FM profesional, protección de compuertas IGBT con VGS máx. próximo a 27V, clamp de picos inductivos en actuadores y motores paso a paso de 24V alimentados con margen de 27V, y límite de sobrevoltaje en paneles solares de batería de 24V.

Especificaciones técnicas