Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4756A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 47V (±5%) a corriente de prueba IZT = 5.5mA. Impedancia dinámica ZZT = 80Ω máx. a IZT; ZZK = 1500Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 95mA a TA=25°C; IZM = 19mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=35.8V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.06 a +0.095 %/°C. Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite a 25°C: VZmin=44.65V / VZmax=49.35V. Corriente de sobrecarga IZS = 95mA (8.3ms). Cuerpo vidrio DO-41; terminales soldables MIL-SPEC; banda indica cátodo. Cumple RoHS. Aplicado como protección de tensiones bus de 48V con amplio margen (VZ mayor que VBus pero menor que VCC máx. de dispositivos), supresión de transitorios en sistemas fotovoltaicos de 48V, clamp en rectificadores de red sin transformador (línea de 24-36V rectificada), protección de pines DRAIN de MOSFETs en convertidores flyback de 50V.

Especificaciones técnicas