Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4753A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 36V (±5%) a corriente de prueba IZT = 7.0mA. Impedancia dinámica ZZT = 50Ω máx. a IZT; ZZK = 1000Ω máx. a IZK=0.25mA. Corriente máxima de regulación IZM = 125mA a TA=25°C; IZM = 25mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=27.4V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.06 a +0.095 %/°C. Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite a 25°C: VZmin=34.2V / VZmax=37.8V. Corriente de sobrecarga IZS = 125mA (8.3ms). Cuerpo vidrio DO-41, terminales soldables MIL-SPEC. Cumple RoHS. Útil en circuitos de protección de gate en MOSFETs y drivers de alta tensión (VGS(max) típicamente ±20V a ±30V), regulación de tensión en fuentes de 36V para motores brushless DC, clamp de bus DC de 36V en controladores de velocidad variable y supresión de transitorios inductivos en bobinas de relé de alta tensión.

Especificaciones técnicas