Diodo Zener 1W

Descripción

Diodo Zener de silicio planar de potencia 1N4755A en encapsulado axial DO-41, potencia máxima PZ = 1.0W. Tensión Zener nominal VZ = 43V (±5%) a corriente de prueba IZT = 6.0mA. Impedancia dinámica ZZT = 70Ω máx. a IZT; ZZK = 1500Ω máx. a IZK=0.25mA (nota: a partir de 43V la familia eleva el límite ZZK a 1500Ω). Corriente máxima de regulación IZM = 110mA a TA=25°C; IZM = 22mA a TA=50°C. Corriente inversa IR = 5µA máx. a VR=32.7V. Coeficiente de temperatura VZ: +0.06 a +0.095 %/°C. Temperatura de operación TJ: -65°C a +200°C; derating 6.67mW/°C sobre 50°C. Tensiones límite a 25°C: VZmin=40.85V / VZmax=45.15V. Corriente de sobrecarga IZS = 110mA (8.3ms). Cuerpo vidrio DO-41; terminales soldables MIL-SPEC. Cumple RoHS. Especialmente útil en sistemas de 48V DC (estándar en telecomunicaciones y data centers) como elemento de protección de sobrevoltaje en circuitos de entrada de convertidores DC-DC, supresión de picos en líneas de batería de plomo-ácido de 48V, protección VGS de MOSFETs de 50V y regulación de referencia en fuentes de alta tensión para paneles LED industriales.

Especificaciones técnicas